ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
047763

Транзистор SGT75T65SDM1P7

Транзистор SGT75T65SDM1P7
Корпус: TO247
Производитель: SILAN
Товар в наличии
161,20 грн × = 161,20 грн
от 1 шт. : — 161,20 грн
от 10 шт. : — 149,10 грн ( -7,5%)
от 30 шт. : — 137,00 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
135 шт.
Для Интернет-Заказов
135 шт.

Похожие товары

Транзистор CRG75T60AK3HD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 390 Вт
Транзистор NCE80TD60BT Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 160 А Ic100: 80 А Pd25: 390 Вт
Транзистор YGW75N65HP Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 375 Вт
Транзистор NCE80TD65BT Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 160 А Ic100: 80 А Pd25: 390 Вт
Транзистор TGAN80N65F2DS Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 160 А Ic100: 80 А Pd25: 577 Вт
Транзистор SGT70N65FDM1P7 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 140 А Ic100: 70 А Pd25: 321 Вт
Транзистор FGY75N60SMD Корпус: TO247-Super структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 750 Вт
Транзистор FGH75T65SHD_F155 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 455 Вт
Транзистор IRGP4066D-EPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 140 А Ic100: 90 А Pd25: 454 Вт

Технические характеристики

Производитель SILAN
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 150 А
Макс. ток коллектора (100°C) 75 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 75 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 45 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 416 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (337Kb)

Изображение товара

Транзистор SGT75T65SDM1P7

Оставлять отзывы и задавать вопросы могут только зарегистрированные пользователи

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.