ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.




Поиск:

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активні компонентиТранзистори, модуліIGBT транзистори і модулі
Код товара:
MS-STGW30M65DF2

STGW30M65DF2

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss
STGW30M65DF2
Корпус: TO-247-3
Виробник: ST Microelectronics (STM)
НЕМАЄ в наявності.
Очікувана ціна: 151,41 грн
від 1 шт. : 151,41 грн
Ціни вказані на момент наявності товару і можуть змінитися при його надходженні

Поточні залишки:

НЕМАЄ в наявності

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO-247-3
Структура [Single]
Мощность рассеяния при 25°C 258 Вт
Рабочая температура -55°C

Технічна документація

Изображение товара

Залишати відгуки та ставити запитання можуть лише зареєстровані користувачі

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown