ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ Польові транзистори

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
046132

Транзистор HY5110NA2W

N-ch 100V 295A 2.4mΩ
Транзистор HY5110NA2W
Корпус: TO247
Виробник: HUAYI
Товар в наявності
88,00 грн × = 88,00 грн
від 1 шт. : — 88,00 грн
від 10 шт. : — 79,20 грн ( -10,0%)
від 60 шт. : — 74,80 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
17 шт.
Для Інтернет-Замовлень
17 шт.

Очікується: (New)

2024-05-20 [15дн.]:
60 шт.

Схожі товари

Транзистор HYG028N10NS1B6 Корпус: TO263-6 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 230 А Rds2510V: 2.4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор VS320N10AU Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 320 А Rds2510V: 2.6 мОм VGS(th): 2.6 ... 3.6 V
Транзистор HY5110W Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 316 А Rds2510V: 2.1 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4468PBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 290 А Rds2510V: 2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Технічні характеристики

Производитель HUAYI
Корпус TO247
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±25 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 295 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 208 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 2.4 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 500 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (2766Kb)

Изображение товара

Транзистор HY5110NA2W

Залишати відгуки та ставити запитання можуть лише зареєстровані користувачі

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.