ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Днепр   Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

УВАГА! Шановні клієнти магазину в м.Дніпро!

З 18.12.23 магазин в м.Дніпро за адресою вул.Новокримська 58 не працює.
Однак, наш інтернет-магазин відкритий для вас 24/7.
Усі місцеві замовлення можуть бути відправлені кур'єрськими службами.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
016858

Транзистор HGTG18N120BND

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Транзистор HGTG18N120BND
Корпус: TO247
Виробник: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD)
НЕМАЄ в наявності.
Очікувана ціна: 170,00 грн
від 1 шт. : — 170,00 грн
від 10 шт. : — 153,00 грн ( -10,0%)
від 30 шт. : — 144,50 грн ( -15,0%)
Ціни вказані на момент наявності товару і можуть змінитися при його надходженні

Поточні залишки:

НЕМАЄ в наявності

Схожі товари

Транзистор IHW30N120R3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 349 Вт
Транзистор CRG25T120BKR3S Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 208 Вт
Транзистор CRG25T120BK3S Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 278 Вт
Транзистор IRG4PH50UDPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 45 А Ic100: 24 А Pd25: 200 Вт
Транзистор IKW25N120H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 1.2 kV Ic25: 50 А Ic100: 25 А Pd25: 326 Вт

Технічні характеристики

Производитель FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP. (FAIRCHILD)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 1.2 kV
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 54 А
Макс. ток коллектора (100°C) 26 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 60 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 390 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Технічна документація

ОписаниеОписание (183Kb)

Изображение товара

Транзистор HGTG18N120BND

Залишати відгуки та ставити запитання можуть лише зареєстровані користувачі

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.