ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Online store
УКР РУС ENG
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register
Search:
arrow_drop_down
close
search Search

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

New items All New Items...

Recommended All…

Product code:
049848

Транзистор TGAN40N65F2DS

650V, 40A IGBT+DIODE
Транзистор TGAN40N65F2DS
Case: TO-3PN
Manufacturer: TRINNO
In stock
88,20 UAH × = 88,20 UAH
from 1 pc : — 88,20 UAH
from 10 pcs : — 79,38 UAH ( -10,0%)
from 30 pcs : — 74,97 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
43 pcs
For Online Orders
43 pcs

Similar products

Transistor IKW50N65F5FKSA1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 56 А Pd25: 305 Вт
Transistor IKW50N60TFKSA1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Transistor IKW75N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Transistor SGT40N60FD2PN Package: TO3P структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 380 Вт
Transistor IHW40N60RF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Transistor FGH40N60UFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor STGW45HF60WD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 45 А Pd25: 250 Вт
Transistor FGH40N60SMD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 349 Вт
Transistor STGW39NC60VD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Transistor SGT40N60NPFDPN Package: TO3P структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor CRG40T60AN3H Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 280 Вт
Transistor CRG75T65AK5HD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 468 Вт
Transistor FGH80N60FD2TU Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor IHW40N60R Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
IKW transistor75N65ES5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 80 А Pd25: 395 Вт
Transistor IKW75N65EH5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 395 Вт
Transistor IKW50N65ES5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 60.5 А Pd25: 274 Вт
Транзистор YGW40N65F1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 188 Вт
Транзистор MPBW50N65E Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 300 Вт
Transistor IRGP4068DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Transistor RJH60F5DPQ-A0 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 260.4 Вт
Transistor STGW40NC60WD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Transistor IRGP4069DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 76 А Ic100: 50 А Pd25: 268 Вт
Transistor STGW60V60DF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 60 А Pd25: 375 Вт
Transistor FGH40N65UFDTU Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor IKW75N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Transistor RJH60F7DPQ-A0 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 90 А Ic100: 50 А Pd25: 328.9 Вт
Transistor FGH40N60SFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor IRGP4063DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт

Specifications

Производитель TRINNO
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 80 А
Макс. ток коллектора (100°C) 40 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 50 / 145 нс
Мощность рассеяния при 25°C 283 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (942Kb)

Product picture

Транзистор TGAN40N65F2DS

Only registered users can leave feedback and ask questions

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: View more…

Последние просмотренные товары Посмотреть Последние...




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.