Транзистор TGAN40N65F2DS

650V, 40A IGBT+DIODE

Корпус: TO-3PN
Виробник: TRINNO
Товар в наявності

88,20

грн

88,20

грн

від 1 шт. :	—	88,20	грн
від 10 шт. :	—	79,38	грн	( -10,0%)
від 30 шт. :	—	74,97	грн	( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр

43 шт.

Для Інтернет-Замовлень

43 шт.

Характеристики
Зображення
Документація
Відгуки-Питання

Технічні характеристики

Производитель	TRINNO
Корпус	TO-3PN
Структура	IGBT + Diode
Схема соединения	Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер	650 V
Напряжение затвор - эмиттер	±20 V
Макс. ток коллектора (25°C)	80 А
Макс. ток коллектора (100°C)	40 А
Макс. постоянный ток диода (100°С)	40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax)	50 / 145 нс
Мощность рассеяния при 25°C	283 Вт
Тип упаковки	Туба
Стандартная упаковка	30 шт

Технічна документація

Файл с описанием (942Kb)

Изображение товара

Залишати відгуки та ставити запитання можуть лише зареєстровані користувачі

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…